TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导

　　_ERASEFlash ;擦除Flash

WRIFlashSTART: ;开始编程Flash

　　SSBX SXM

　　RSBX OVM

　　_RESETFLASH ; Flash复位

　　STM #8000H,AR0 ;Flash起始地址8000H

　　STM BOOTTABLE,AR5 ;被烧写的源地址（自举

　　；表首地址）

　　STM #( LOADEND- BOOTTABLE),AR4

　　; 写入011E个字

WRI_RPT

　　_WRITEFlash *AR0,*AR5 ;调入编程宏

　　LD *AR0+,A

　　LD *AR5+,A ;完成AR0和AR5地址自动加1

　　BANZ WRI_RPT,*AR4-

　　STM #0FFFFH,AR0; AR0指向数据空间的FFFF

　　；地址

　　STM FINDTABLE,AR5

　　_WRITEFlash *AR0,*AR5 ; 向数据空间的FFFF

；地址写入自举表的首地址8000H

ENDD: NOP

　　B ENDD

　　.end

　　被烧写的主程序是从MAIN_START开始，一直到LOADEND。程序的主要功能是不断改变XF引脚的状态。LOADSTART是中断向量文件（vector.asm）的开始，在中断复位（RESET）处放入一条跳转到MAIN_START指令（BD MAIN_START）。ERASE_WRITE_FLASH是烧写程序的开始，只要程序指针（ PC）指向ERASE_WRITE_FLASH，开始运行就可以完成对Flash的烧写操作。从自举表首地址BOOTTABLE （0F8H）到LOADEND（0216H）存放的数据就是要写入Flash的内容，从LOADSTART到LOADEND的数据是DSP自举程序从Flash搬运到片内RAM的程序，具体如下：

00F8H: BOOTTABLE ; 自举表开始

0100H: LOADSTART ;中断向量表首地址

0100H: RESET :BD MAIN_START

... ;中断向量表的内容

0178H: RESERVED

0200H: MAIN_START

... ;主程序

0216H: LOADEND

　　被烧写的程序只需一个段，根据以上信息就可以完成自举表的内容，如表3所列。

表1 自举表

　　整个并行自举引导过程为：C5410上电复位后，判断MP/MC=0 处于微计算机工作方式，从片内ROM的0FF80H处执行中断向量表的分支转移指令（BD 0F800H），使程序跳转至0F800H处执行自举引导程序。自举引导程序完成初始化后，读取数据空间的0FFFFH地址的内容，找到自举表首地址8000H，从8000H处开始读取内容。首先，是16位自举标记（10AA）。然后分别是寄存器SWWSR及BSCR的内容，程序入口地址、代码段长度、存放代码段的目标地址等信息。最后，根据这些信息把Flash的8008H到811EH的程序搬运到片内RAM的100H开始的地址中，跳转至片内RAM 100H、即PC为100H、XPC为0，开始执行用户程序，完成用户程序的并行自举过程。

结 语

　　把程序烧写入Flash后，复位C5410，使其处于微计算机工作方式；使用示波器测试XF引脚，观察程序运行正确与否。通过上述方法可完成C5410对Am29LV200B Flash 的烧写，很好地实现了C5410上电后的用户程序自举引导功能。

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