TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导

【本文由PB创新网为您整理】
摘要：介绍在TMS320C5410环境下对Am29LV200B Flash存储器进行程序烧写，并且实现了TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导。

    关键词：Am29LV200B Flash DSP 并行自举引导 自举表

　　Flash是一种可在线进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点，并且内部嵌入算法完成对芯片的操作，因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例，介绍Am29LV200B Flash存储器的烧写方法，实现TMS320C5410（以下简称C5410）上电后用户程序的并行自举引导。

1 Am29LV200B Flash存储器

1.1 Flash存储器简介

　　Am29LV200B是AMD公司生产的Flash存储器，其主要特点有：3 V单电源供电，可使内部产生高电压进行编程和擦除操作；支持JEDEC单电源Flash存储器标准；只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令，具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成；可以对任一扇区进行读、写或擦除操作，而不影响其它部分的数据。本文中128K×16位Am29LV200B Flash 映射为C5410的片外数据存储空间，地址为：0x8000~0xFFFF，数据总线16位，用于16位方式的并行引导装载。128K的Flash ROM用32K地址分四页进行访问，上电加载程序时使用Flash ROM的第3页。

1.2 Flash存储器的操作命令

　　向Flash存储器的特定寄存器写入地址和数据命令，就可对Flash存储器编程，但要按一定的顺序操作，否则就会导致Flash存储器复位。由于编程指令不能使"0"写为"1"，只能使"1"变为"0"，而擦除命令可使"0"变为"1"，所以正确顺序是先擦除，后编程。下面就介绍几个常用的操作命令：编程命令、擦除命令、读数据命令、复位命令。

　　① 编程命令。该命令向Flash的指定地址中写入数据，需要四个总线周期，前两个是解锁周期，第三个是建立编程命令，最后一个周期完成向编程地址中写入编程数据，如表1所列。

表1 编程命令

周期	1(解锁)	2（解锁）	3(建立）	4（编程）
地址	0x555	0x2AA	0x555	pa(编程地址)
数据	0xAA	0x55	0xA0	pa(编程数据)

　　由于向每个编程地址写入数据都需要四个周期，所以在循环写Flash时使用宏比较简单。Flash ROM的首地址为0x8000，故偏移地址0x555对应物理地址就为0x8555。编程程序如下：

_WRITECOMMAND .macro pa,pd ;单一周期编程的写命

；令宏，pa是编程地址，pd是编程数据

PSHM AR1

STM pa,AR1 ;AR1指向编程地址

LD pd,A

STL A,*AR1 ;把编程数据放入AR1的编程地址中javascript:window.open(this.src);" style="cursor:pointer;"/>

RPT #12

NOP

POPM AR1

.endm

_WRITEFlash .macro par,pdr ;编程宏,par是编程地址寄存

；器，pdr是存放编程数据的寄存器

_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1（解锁）

_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2（解锁）

_WRITECOMMAND #8555H, #0A0H ; 周期3（建立）

LD pdr, A ; 周期4（编程）

STL A, par ; 把pdr寄存器中数据放入par

；寄存器的地址中

RPT #12

NOP

_JUDGE par, pdr ;检测编程是否正确，见Flash

；的操作检测

.endm

_WRITECOMMAND是实现一个周期编程的写命令宏，而_WRITEFlash是完成对指定地址编程的四个完整周期。

表2 擦除命令

周期	1(解锁)	2（解锁）	3(建立）	4（解锁）	5(解锁）	6（片擦除）	6（扇区擦除）
地址	0x555	0x2AA	0x555	0x555	0x2AA	0x555	SA(扇区地址)
数据	0xAA	0x55	0x80	0xAA	0x55	0x10	0x30

　　② 擦除命令。该命令有片擦除和扇区擦除两种，都需要6个总线周期，前两个解锁周期，第三个建立周期，四、五两个解锁周期，最后是片擦除或扇区擦除周期，如表2所列。一旦执行编程或擦除命令后，就启动Flash的内部编程或擦除算法，自动完成编程或擦除操作。擦除程序如下：

_ERASEFlash .macro ;擦除宏

_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1（解锁）

_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2（解锁）

_WRITECOMMAND #8555H,#080H ; 周期3（建立）

_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期4（解锁）

_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期5（解锁）

_WRITECOMMAND #8555H,#010H ; 周期6（片擦除）

STM #8555H,AR3

LD #010H ,A

STL A,*AR5

_JUDGE *AR3,*AR5 ;检测是擦除结束，见Flash的

；操作检测

.endm

　　③ 读数据命令。上电或内部编程、擦除操作结束后就进入读数据状态，写入要读取的地址即可读出该地址的数据。

　　④ 复位命令。它使存储器复位，进入读数据状态，向任何一个地址写入数据0xF0就能使Flash存储器复位。在进行编程、擦除之前，都应先复位，在编程或擦除等正常操作中出现错误时也要复位。复位程序如下：

_RESETFlash .macro

_WRITECOMMAND #8001H,#0F0H

;向8001H写入0F0H使Flash复位

RPT #12

NOP

.endm

1.3 Flash的操作检测

　　Flash内部的编程或擦除算法可自动完成编程或擦除操作，但我们必须了解其内部的操作检测机制，以便知道操作是否完成或正确。常用检测的状态位有：跳变位（DQ6）、超时标志位（DQ5）、数据查询位（DQ7）和Ready/Busy引脚（RY/）。检测的方法有三种。第一种是判断引脚RY/的状态，在编程、擦除或擦除挂起操作过程中，RY/引脚一直为"0"，操作完成后变为"1"

[1] [2] [3]  下一页