μPD3575DCCD图像传感器的原理及应用
摘要:μPD3575D是NEC公司生产的一种高灵敏度、低暗电流、1024像元的内置采样保持电路和放大电路的线阵CCD图像传感器。文章介绍了μPD3575D的主要特点、结构原理、引脚功能、光学/电子特性、驱动时序以及驱动电路。
关键词:μPD3575D CCD 驱动脉冲 图像传感器
1 概述
μPD3575D是NEC公司生产的一种高灵敏度、低暗电流、1024像元的内置采样保持电路和放大电路的线阵CCD图像传感器。该传感器可用于传真、javascript:window.open(this.src);" style="cursor:pointer;"/>图像扫描和OCR。它内部包含一列1024像元的光敏二极管和两列525位CCD电荷转移寄存器。该器件可工作在5V驱动(脉冲)和12V电源条件下。
μPD3575D的主要特性如下:
*像敏单元数目:1024像元;
*像敏单元大小:14μm×14μm×14μm(相邻像元中心距为14μm);
*光敏区域:采用高灵敏度和低暗电流PN结作为光敏单元;
*时钟:二相(5V);
*内部电路:采样保持电路,输出放大电路;
*封装形式:20脚DIP封装。
2 内部原理和引脚功能
μPD3575D的封装形式为20脚DIP封装,其引脚排列如图1所示,引脚功能如表1所列。图2为μPD3575D的内部结构原理图,中间一排是由多个光敏二极管构成的光敏阵列,有效单元为1024位,它们的作用是接收照射到CCD硅片的光,并将之转化成电荷信号,光敏阵列的两侧为转移栅和模拟寄存器。在传输门时钟φTG的作用下,像元的光电信号分别转移到两侧的CCD转移栅。然后CCD的MOS电容中的电荷信号在φIO的作用下串行从输出端口输出。上述驱动脉冲由专门的驱动电路产生。
表1 μPD3575D的引脚功能
引脚名 | 功 能 |
IO | 时钟 |
TG | 转移时钟 |
RO | 复位时钟 |
SHO | 采样保持时钟 |
G1 | 测试端 |
G2 | 测试端 |
ID | 测试端 |
OV | 测试端 |
VOUT | 信号输出 |
RD | 复位漏极电压 |
OD | 输出漏极电压 |
VGC | 电源电压 |
GND | 地 |
NC | 未连接 |
3 光电特性参数
μPD3575D的光学/电子特性参数如表2所列。表中的工作条件为:温度在25℃左右,工作电压VOD=VRD=VGC=12V,频率fSHO为0.5MHz,tint(积分时间)=10ms,光源为2856K的钨丝灯。
表2 光/电子特性参数
特 性 | 符 号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单 位 | 注 释 |
饱和输出电压 | VOUT | 1.5 | 2.3 | - | V | |
饱和曝光量 | SE | - | 0.45 | - | Ix·s | 白色荧光灯 |
光响应非均匀性 | PRNU | - | 5 | 10 | % | VOUT=500mV白色荧光灯 |
平均暗信号 | ADS | - | 0.5 | 10 | mV | 遮光 |
光响应不均匀性 | DSNU | - | 0.5 | 10 | mV | 遮光 |
功耗 | PN | - | 100 | - | mW | |
输出阻抗 | Zo | 0.5 | 1 | 8 | Ω | |
响应度 | R | 9.8 | 14 | 18.2 | V/Ix·s | 钨丝灯 |
R | 3.5 | 5 | 6.5 | V/Ix·s | 白色荧光灯 | |
峰值响应波长 | - | 550 | - | nm | ||
输出偏移电压 | Vos | - | 7.0 | - | V | |
转移栅输入电容 | CφIO | - | 5 | 10 | pF | |
复位端输入电容 | CφRO | - | 5 | 10 | pF | |
采样保护端输入电容 | CφSHO | - | 5 | 10 | pF | |
传输门输入电容 | CφTG | - | 5 | 10 | pF | |
反馈通过电压 | VR | - | 100 | 200 | mV | |
输出上升延迟时间 | t3 | - | 50 | 100 | ns | |
输出上升时间 | t2 | - | 50 | 100 | ns | |
输出下降时间 | t1 | - | 50 | 100 | ns |
其中,饱和输出电压Vout为响应曲线失支直线形时的输出信号电压;饱和曝光量SE为输出饱和时的照度(lx)和积累时间的乘积。
输出电压不均匀性PRNU是取全部有效位输出电压的峰、谷之比值。平均暗电流ADS指的是遮光时的平均输出电流。暗信号不均匀性DSNU是遮光时的全部有效像元的输出电压最大或最小值与ADS的差。输出阻抗Zo为从外部看时输出端子的阻抗。响应度R是曝光量除以输出电压的值。值得注意的是:使用其它光源时,器件的响应度会有所变化。
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4 驱动时序
CCD的驱动需要四路脉冲,分别为转移栅时钟φIO、复位时钟φRO、采样保持时钟φSHO和传输门时钟φTG,将它们分别输入到CCD芯片的2脚、3脚、4脚和8脚,并在相应的管脚接上相应的电压就可以实现对CCD的驱动。
实现对CCD驱动的关键工作是如何产生以上的四路波形。图3是该四路时序波形图。
图3
四路脉冲的作用描述如下:当传输门时钟φTG脉冲高电平到来时,正遇到φIO电极下形成深势阱,同时φTG的高电平使φIO电极下的深势阱与CMOS电容存储势阱(存储栅)沟通。于是CMS电容中的信号电荷包全部转移到φIO电极下的势阱中。当φTG变低时,φTG低电平形式的浅势阱将存储栅下势阱与φIO电极下的势阱离开,存储栅势阱进入光积分状态,而转移栅则在转移栅时钟φIO脉冲作用下使转移到φIO电极下势阱中的信号电荷逐位转称,并经过输出电路输出。采样保持时钟φSHO的作用是去掉输出信号中的调幅脉冲成分,使输出脉冲的幅度直接反映像敏单元的照度。
从以上描述和对波形的分析可以看出,复位脉冲φRO每触发一次,φIO脉冲翻转一次,并转移一个像元的信号电荷,因此φIO脉冲的周期为φRO的2倍。采样保持时间φSHO的周期和φRO的周期相同,但相位有一定的时间延迟。传输门时钟φTG脉冲控制线阵CCD整行的转移时间间隔,可作为行同步脉冲,其低电平持续的时间为φIO的整数倍,倍数由CCD的像元数决定。图4给出了μPD3575D的脉冲时序关系图,该图中为负极性逻辑,与前边图3的正极性逻辑正好相反,在编程过程中,我们可以先实现正极性逻辑,然后通过反向器将极性反过来。
图4
从波形图可以看出,当转移时钟φIO变化(人“1”变到“0”或从“0”变到“1”)后,经过t1时间(最小值200ns,典型值300ns),采样保持时钟φSHO从高电平变低电平,低电平维持时间为t2(最小值100ns,典型值300ns),当φRO翻转,使之由高电平变为低电平,触发的间隔时间为t3(最小值3ns,典型值100ns)。复位脉冲φRO翻转后维持的时间为t4(最小值30ns,典型值100ns),当它由低电平变回高电平时,触发转移时钟φIO翻转,其触发间隔为t5(最小值0ns,典型值50ns)。这样,一个循环结束,输出一个像元。如此不断循环,直至完全输出所有的像元。
那么,如何控制循五泊开始和结束呢?传输门时钟φTG起的就是这一作用,当φTG由低电平变为高电平并经过一定的时延(最小值50ns)后,转移时钟φIO开始按周期翻转,每翻转一次,输出一个像元。所有像元输出完毕,φTG再由高电平变为低电平。图4中φTG只给出了开始部分的波形,后面表示积分时间的波形没有给出,因此后面的积分时间长短可以根据对积分时间的需要自行设定。但积分时间内的φIO数目也是有要求的。因为该CCD芯片的有效单元为1024,加上虚设单元、暗信号和空驱动等共有12613个光电二极管,由于该器件是两列并行分奇偶传输的,所以一个φTG周期至少要有630个φIO脉冲,即φTG>630φIO。
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