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内嵌闪存MCU的高性能多通道24位采集系统ADuC845

减小字体 增大字体 作者:佚名  来源:本站整理  发布时间:2009-01-10 23:49:14
4B页数据。页寻址是通过EADRH和EADRL两个寄存器实现的。ECON是一个8位控制寄存器,这可写入9个闪速/电擦除存储器访问命令之一,以使能各种读、写、擦除和校验模式。

此存储器可用作通用非易失性缓存区,分别是高128RAM和低128B RAM。低128B RAM可通过直接或间接寻址访问,而高128B RAM只能通过间接寻址访问,原因在于它与只能通过直接寻址访问的SFR共用同一地址空间。内部数据存储器的低128字节映射中,最低的32字节分为4个区,每区含8个寄存器,编号为R0~R7。寄存器区分紧接的16字节(128位)构成了位可寻址的存储器空间块,位地址00H~07H。堆栈可位于内部存储器地址空间的任一位置,其深度可扩展到2048字节。复位初始化堆栈指针到07H。由于装载堆栈前访问或压入地址已加1的SP,因此,装载堆栈从08H开始,即从R0寄存器开始。若使用不止一个寄存器块,则堆栈指针必须被初始化到RAM区而不是用于数据保存。

d.内部XRAM

ADuC845包含一个2k字节的片内扩展数字存储器。此存储器通过MOVX指令访问。若CFG845.0位被置位,则2k字节的内部XRAM被映射到2k字节外部地址空间的底部,否则半对外部数据存储器进行访问,其方式就和标准8051一样。一旦24位DPTR溢出0007FFH,此时即便CFG845.0位被置位,系统仍可外部数据存储器进行访问。当访问内部XARM时,P0、P2引脚及RD、WR选通在每个标准8051 MOVX指令执行时将不被输出,这就允许应用将这些引脚用作标准I/O。内部XRAM的高1792字节配置为外扩的11位堆栈指地。缺省设置时,堆栈的操作同8052一样,还通用RAM内从FF到00H翻转。但在ADuC845上,通过设置CFG845.7可以使能11位的外扩堆栈指针,这种情况下,堆栈将在RAM内的FFH到XRAM内的0100H之间翻转。

4.3 串行I/O口

ADuC845具有三种串行输入/输出接口:通用串行异步接口、串行外设接口(SPI)和I2C串行接口。这里仅介绍后两种。

(1) SPI串行接口

ADuC845片内集成了一个完整的串行外设接口(SPI)。SPI是工业标准的同步串行接口,它允许8位数据同时同步地被发送和接收。需要注意的是,SPI引脚与P2引脚复用。只用SPE被置位时,复用的引脚才具有SPI功能。否则,随着SPI被清零,这些引脚将保持标准的P2口功能。该系统可配置为主、从两种操作,并由标准的4引脚组成:

SCLOCK:主机的串行时钟线,通过MOSI和MISO数据线同步传输和接收数据。每个SCLOCK周期传输和接收一个单数据位。发送/接收1B的数据需要8个SCLOCK周期。SCLOCK引脚在主模式下配置为输出,在从模式下配置为输入。主模式下,时钟的波特率、极性和相位可由SPICON来设置。

MISO:主机输入/从机输出引脚。设计时应将主机的MISO端口与从机的MISO端口相连以进行高位在前的数据交换。

MOSI:主机输出/从机输入引脚。主机的MISO应与从机的MISO相连以进行高位在前的数据交换。

MOSI:主机输出/从机输入引脚。主机的MISO应与从机的MISO相连以进行高位在前的数据交换。

SS:从机选择引脚,低电平有效。当SS引脚为低电平时,数据仅在从模式下接收和发送,这允许ADuC845用于单主机、多从机的SPI配置。

(2)I2C串行接口

ADuC845支持完全的I2C串行接口。此接口可配置为软件主操作和硬件从操作模式。I2C接口可同时用作SPI接口,它可供用户使用且其不与芯片上使用其它I/O口复用,这就意味着ADuC845芯片片上任何其它I/O口复用,这就意味着ADuC845芯片上的I2C接口和SPI接口可同时使用。当使用I2C接口时,由于他们都使用同一中断程序,在有中断产生时,必须查询接口以确定是哪一个接口触发职断服务程序请求。该接口使用如下两个引脚:

SDATA:数据I/O;

SCLK:串行时钟;

控制I2C接口的寄存器及其功能如下:

I2CCOM:I2C控制寄存器;

I2CADD:保存一个用于I2C接口的外设地址;

I2CADD1:保存一个用于I2C接口的外设地址;

I2CDAT:传输数据或读接收到的数据。访问I2CDAT可自动清除任一未处理的I2C中断和I2CCON SFR中的I2CI位。在每个中断周期内,用户代码仅能访问I2CDAT一次。

5 结束语

ADI公司的ADuC845集成了精密数据转换器、闪存和可编程微控制器,非常适合工业和仪器仪表应用中要求精确测量宽动态范围低频信号的应用场合,例如智能传感器、温度与压力传感器、称重仪、便携式仪器、电池供电系统、4~20mA控制环路和病人监护系统等。此外,该器件在主ADC和辅助ADC都采用了ADI公司的高频“斩波”专利技术,可以提供优良有直流(DC)失调和失调漂移指标,故其也非常适合于低温漂且对噪声抑制和抗电磁干扰能力要求较高的应用场合。



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