兼容于IEEE802.3af标准的受电设备电源设计
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增大字体(１)对于３０Ｖ≤ＶＩＮ≤６７Ｖ，ＶＯＵＴ＝５Ｖ，ＩＯＵＴ＝１０Ａ，ＶＲＩＰＰＬＥ≤５０ｍＶ的要求。开启门限应设为３８．６Ｖ。
(２)设定输出电压时，可根据下式计算电阻Ｒ１和Ｒ２：
ＶＲＥＦ／ＶＯＵＴ＝Ｒ２／(Ｒ１＋Ｒ２)
式中ＶＲＥＦ是并联调节器的基准电压。
（３）根据最小输入电压和ＭＡＸ５９４１Ｂ的最大占空比下限（４４％）计算变压器匝比时，为了能够使用漏－源击穿电压小于２００Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ，本设计选用最大占空比为５０％的ＭＡＸ５９４１Ｂ。然后根据下式计算匝数比：
ＮＳ／ＮＰ≥（ＶＯＵＴ＋ＶＤ１×ＤＭＡＸ）／（ＤＭＡＸ×ＶＩＮ＿ＭＩＮ）
式中：ＮＳ／ＮＰ为匝数比（ＮＳ是副绕组匝数，ＮＰ是主绕组匝数），ＶＯＵＴ为输出电压（５Ｖ），ＶＤ１为Ｄ１上的压降（功率肖特基二极管典型压降为０．５Ｖ），ＤＭＡＸ为最大工作占空比的最小值（４４％），ＶＩＮ＿ＭＩＮ为最小输入电压（３０Ｖ），对于本例：ＮＳ／ＮＰ≥０．３９５，选择ＮＰ ＝１４时，ＮＳ＝６。
（４）较低的复位绕组匝比（ＮＲ／ＮＰ）可确保变压器中的所有能量在最大占空比下的关闭周期内能够全部返回Ｖ＋。可用下式来确定复位绕组匝比：
ＮＲ≤ＮＰ×（１－ＤＭＡＸ＇）／ＤＭＡＸ＇
式中：ＮＲ／ＮＰ为复位绕组匝比，ＤＭＡＸ＇为占空比的最大值（５０％），计算ＮＲ＝１４。
（５）选择第三绕组匝比（ＮＴ／ＮＰ），以使最小输入电压能够在ＶＤＤ处提供最小工作电压（１３Ｖ）。可采用下式计算第三绕组匝比：
ＮＰ（ＶＤＤＭＩＮ ＋０．７）／ ＶＩＮ＿ＭＩＮ≤ＮＴ≤ＮＰ（ＶＤＤＭＡＸ＋０．７）／ ＶＩＮ＿ＭＡＸ
式中：ＶＤＤＭＩＮ是最小ＶＤＤ电源电压（１３Ｖ），ＶＤＤＭＡＸ是最大ＶＤＤ电源电压（３０Ｖ），ＶＩＮ＿ＭＩＮ是最小输入电压（３０Ｖ），ＶＩＮ＿ＭＡＸ是最大输入电压（本设计为６７Ｖ），ＮＰ是主绕组匝数，ＮＴ是第三绕组匝数：可选择ＮＴ＝７。
（６）根据下式选择ＲＳＥＮＳＥ：
ＲＳＥＮＳＥ≤ＶＩＬＩＭ／（ＮＳ×１．２×ＩＯＵＴＭＡＸ／ＮＰ）
式中：ＶＩＬＩＭ是检流比较器的触发门限电压（０．４６５Ｖ），ＮＳ／ＮＰ是副端匝比（本例为５／１４），ＩＯＵＴＭＡＸ是最大直流输出电流（本例为１０Ａ），ＲＳＥＮＳＥ选９０．４ｍΩ。
（７）选择电感时，应使电感中的峰值纹波电流（ＬＩＲ）介于最大输出电流的１０％和２０％之间：
Ｌ≥(ＶＯＵＴ＋ＶＤ)(１－ＤＭＩＮ)／(２ＬＩＲ×２７５ｋＨｚ×ＩＯＵＴＭＡＸ)
式中ＶＤ是输出肖特基二极管的正向压降（０．５Ｖ），ＬＩＲ是电感纹波电流与直流输出电流之比。本例中，Ｌ选４．０１μＨ。
（８）输出滤波电容的容量和ＥＳＲ可决定输出纹波。选择低ＥＳＲ电容有利于满足纹波电压的要求。图２中选择了三只５６０μＦ的电容。
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作者：佚名
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