新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B
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javascript:window.open(this.src);" style="cursor:pointer;"/> ３ 应用电路
ＳＫＨＩ２２Ａ／Ｂ的应用电路如图３所示。图中，ＩＮ-ＰＵＴＴＯＰ和ＩＮＰＯＵＴＢＯＴＴＯＭ分别为同一桥臂上、下开关管的触发脉冲；管脚ＴＤＴ２接高电平＋１５Ｖ时，死区时间为４．２５μｓ，接低电平ＧＮＤ时，死区时间为３．２５μｓ。ＥＲＲＯＲ管脚为差错信号输出，当模块检测到电路有过流、欠压等现象并进行保护时，该管脚电平将被拉低以通知主控制板。
管脚Ｓ１５、Ｓ６外接的ＲＣＥ和ＣＣＥ用于调节管子过流保护时的压降。对于１２００Ｖ的ＩＧＢＴ，一般选择ＲＣＥ为１８ｋΩ、ＣＣＥ为３００ｐＦ，此时管压降门限为５Ｖ。管脚Ｓ１４、Ｓ７外接ＩＧＢＴ的栅极导通电阻ＲＯＮ，该电阻一般应在３～２２Ω之间，实际应用时，该电阻的发热比较严重，因此建议使用２Ｗ的电阻。管脚Ｓ１３、Ｓ８外接ＩＧＢＴ的栅极导通电阻ＲＯＦＦ，其使用方法和ＲＯＮ一样。管脚Ｓ２０、Ｓ１分别连接检测上、下开关管的漏极。对于１７００Ｖ的ＩＧＢＴ，通常应该串接１ｋΩ／０．４Ｗ的电阻。
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作者：佚名
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