串行FLASHSSF1101在单片机

ＢＦ： 忙标志，为１时，表示器件忙，无法执行对闪存的操作命令；

ＣＦ：比较标志，为１时，表示缓冲区中的内容和指定的被比较的闪存页面不一致；

ＷＰＦ：写保护标志，为１表示器件处于硬件写保护状态；

Ｂｉｔ２～Ｂｉｔ０：容量指示位，为全１表示闪存容量为４Ｍｂｉｔ；

Ｒｅｓ：保留位，暂为０１；

当器件正确上电复位后，ＳＲ为 ００００１１１１Ｂ。

３．２ 命令操作说明

（１）缓冲区传送

缓冲区传送分为三种，首先通过闪存到缓冲区的传送命令可把指定闪存页面中的内容拷贝到缓冲区１或缓冲区２中，传送到缓冲区１的命令码为：１１００ｄｄｄｄ ＰＡ１１－ＰＡ０ ＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸ，共３２位， 并继续保持ＳＣＫ到至少第３５个周期。其中的ＰＡ１１ － ＰＡ０为指定被传送的闪存页面， 如果超出器件的范围，则自动取模。当ＣＳ被置高后，传送操作开始， 同时状态寄存器中的ＢＦ位有效。 完成传送操作大约需要１００μｓ， 完成后，ＢＦ标志清零（下述命令中，如没有特别指出，其命令码含义及操作时序均与此相同，此外针对缓冲区２的操作仅命令不同，其余部分完全相同，下述命令均相同）。

使用内建擦除周期的从缓冲区到闪存传送命令时，一般先使用内建的擦除周期擦除指定的闪存页面，然后把缓冲区中的内容拷贝到指定的闪存页面中。

不使用内建擦除周期的从缓冲区到闪存传送命令时，可直接把缓冲区中的内容拷贝到指定的闪存页面中。javascript:window.open(this.src);" style="cursor:pointer;"/>

（２）读写缓冲区

读缓冲区命令用于读取缓冲区１（或２）中的一个或多个字节数据，命令码为：

１１１０ｄｄｄｄＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＢＡ１１－ＢＡ０。

其中，ＢＡ１１－ＢＡ０ 用于指定从缓冲区中读取数据的开始地址，如果超出缓冲区大小则自动取模。器件在第３５个ＳＣＫ的下降沿开始从ＳＯ引脚输出数据，且高位在前。读取一个字节后，缓冲区地址自动加１，然后继续输出下一地址的数据。如到达缓冲区的尾部， 则自动返回到缓冲区的起始地址。输出最后一个字节后需额外的３～７个脉冲。

写缓冲区命令用于将一个或多个字节数据写入缓冲区１（或２）中，命令码为：

０１１０ｄｄｄｄＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＸＢＡ１１－ＢＡ０

其中，ＢＡ１１－ＢＡ０用来指定写入缓冲区的开始地址，如果地址超出缓冲区大小则自动取模。器件在第３３个ＳＣＫ的上升沿开始从ＳＩ引脚接收数据（高位在前），接收一个字节后写入缓冲区， 并自动对缓冲区地址加１后继续接收下一地址的数据。如果到达缓冲区的页尾，则自动返回到缓冲区的起始地址。输出最后一个字节后需额外的３～７个脉冲。

（３）闪存直接读

闪存直接读命令用于直接从闪存页面中读取数据，而不通过缓冲区，也不影响缓冲区中的内容。其命令码为：

０００１ｄｄｄｄ ＰＡ１１－ＰＡ０ ＢＡ１１－ＢＡ０。

其中，ＰＡ１１－ＰＡ０用于指定被操作的闪存页面， 如果超出器件的范围，则自动取模；ＢＡ１１－ＢＡ０则用来指定从页面内读取数据的开始地址，同样， 如果超出页面大小则自动取模。器件在第３５个ＳＣＫ的下降沿开始从ＳＯ引脚输出数据， 高位在前。 输出一个字节后页面内数据地址自动加１，然后继续输出下一地址的数据。如果到达页尾，则自动返回到页初地址。

（４）比较闪存页面和缓冲区

此命令用于比较指定的闪存页面和缓冲区内的数据是否相同，在被置高后开始比较， 同时ＢＦ被置１。如果比较结果为不相同，则状态寄存器的ＣＦ位被置１， 否则ＣＦ清零， 比较结束后ＢＦ清零。

（５）读状态寄存器

状态寄存器读命令用于读出器件内状态寄存器的值。

（６）片擦除

片擦除命令用于擦除闪存所有页面的数据，一个擦除周期大约需要２ｓ。
javascript:window.open(this.src);" style="cursor:pointer;"/>
４　具体应用

ＳＳＦ１１０１由于具有５１２ｋｂｙｔｅ的大存储容量，因此可广泛应用于数字语音存储、图象存储和数据存储等应用领域，以构成大容量的单片机数据采集系统。由ＡＴ８９Ｃ５２单片机与ＳＳＦ１１０１构成的ＩＣ卡读写电路如图３所示。

图３中，ＡＴ８９Ｃ５２的Ｐ１．０、Ｐ１．１、Ｐ１．２分别与ＳＳＦ１１０１ ＳＰＩ的接口ＳＩ、ＳＣＫ及ＳＯ端相连以实现简单的三线串行通信，Ｐ１．３与ＣＳ相连用于控制对器件的访问，图中的Ｃ９与Ｃ１０是ＩＣ卡座的接通开关，当ＩＣ卡插入时开关闭合，Ｃ１端接入＋５Ｖ电源，ＳＳＦ１１０１上电复位后读写电路进入正常的读写状态，当ＩＣ卡拔出后Ｃ１端经电阻Ｒ２向ＡＴ８９Ｃ５２的ＩＮＴ０端发出中断请求，从而转向掉卡中断处理程序。下面的程序代码为与上述硬件电路配套的读写ＩＣ卡程序：

；位定义

ＳＩ ＢＩＴ Ｐ１．０；串行数据输入

ＳＣＫ ＢＩＴ Ｐ１．１；串行时钟

ＳＯ ＢＩＴ Ｐ１．２；串行数据输出

ＣＳ ＢＩＴ Ｐ１．３；片选控制

；内存定义

ＲＣＭＤ ＥＱＵ ３０Ｈ；读卡命令单元

ＰＡＨ ＥＱＵ ３１Ｈ；闪存页面高位单元

ＰＡＬ ＥＱＵ ３２Ｈ；闪存页面低位单元

ＢＡＨ ＥＱＵ ３３Ｈ；闪存地址高位单元

ＢＡＬ ＥＱＵ ２４Ｈ；闪存地址低位单元

ＩＣＲＤＡＴＡ ＥＱＵ ２０Ｈ；读写数据缓冲区首址

ＮＵＭＢＥＲ ＥＱＵ ８０Ｈ；

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