高性能FLASH存储器在DSP电机智能保护中的应用

STRB0可根据PRGW引脚电平的高低来决定存储器的宽度控制位和数据位数控制位的复位值。

2 Am29F010B的在系统编程技术

2.1 Am29F010B的基本编程操作

对FLASH的基本操作主要有读、字节编程、复位、扇区擦除、片擦除等。Am29F010B闪烁存储器的读操作与普通的存储器操作相同，它不需要特定的时序，在电路上电或内部编程等操作后可自动进入读数据状态。而擦除和写操作相对复杂一些，它不能简单的直接写入，同时，out文件不能load到FLASH中，且CCS和CSource Debugger中的load命令均不能对flash写入，而需要专门的程序才能写入一系列Flash Memory的命令寄存器中，然后调用嵌入式算法的内部程序来完成相应的命令。Am29F010B编程的一般步骤是复位、擦除、字节编程等。

（1）复位操作

复位命令用以取消擦除或写入操作而使存储器复位。复位操作不影响各单元的数据。在编程、擦除或正常操作出现错误时都要使用复位命令。向FLASH存储器的任意一个地址写入0F0H均可使其复位并进入读数据状态。

（2）擦除操作

擦除操作的具体软件命令序列如表1所列。该操作包括按扇区擦除和整片擦除两种方式。二者均为6总线周期操作。使用片擦除操作则可一次清除FLASH芯片内的所有数据。扇区擦除操作则用于清除某一个扇区的所有数据，这在仅需要改动少量数据而不是整片数据时特别方便。

（3）字节编程操作

该操作是一个4总线周期指令，可将任意数据写入Am29F010B独立使用的编程，只能写入8位宽的数据，而本开发系统每次可写入32位宽数据。具体软件命令序列如表1所列。
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    2.2 Am29F010B的编程注意事项及操作技巧

在对Am29F010B进行编程操作时，三条关键控制检测线OE、CE和WE都必须处于正确状态，当CE或WE不是低电平或OE不是高电平时，编程操作将被禁止。

由于在32位浮点芯片TMS320C32进行硬件连接时，采用的是4片数据宽度为8位的Flash来作为一片数据宽度为32位的Flash使用，所以在实际的总线操作过程中，向对应地址写入的数据应为8位16进制数据。例如芯片复位操作时，写入某一地址的数据应该是0xF0F0F0，而不应是单片时写入的0xF0。其软件命令序列可同时参见表1。

表1 Am29F010B编程命令序列表

命令序列		Flash复位	扇区擦除	整片擦除	Flash烧录
总线写周期1	地址	5555H	5555H	5555H	5555H
	数据	0AAAAAAAAH	0AAAAAAAAH	0AAAAAAAAH	0AAAAAAAAH
总线写周期2	地址	2AAAH	2AAAH	2AAAH	2AAAH
	数据	55555555H	55555555H	55555555H	55555555H
总线写周期3	地址	xxxx	5555H	5555H	5555H
	数据	0F0F0F0F0H	80808080H	80808080H	0A0A0A0A0H
总线写周期4	地址		5555H	5555H
	数据		0AAAAAAAAH	0AAAAAAAAH
总线写周期5	地址		2AAAH	2AAAH
	数据		55555555H	55555555H
总线官周期6	地址		SA	5555H
	数据		30303030H	10101010H

在Am29F010B擦除及编程操作中使用检测机制可确保操作的正确性和有效性。其核心代码如下：

flash_rase：

……

check_rase:LDI *AR0,R0

NOP

NOP

XOR *AR2,R0

BNZ check_rase

……

RETS

flash_prog:

……

check_prog:LDI * -AR1,R0

NOP

NOP

XOR *-AR1,R0

BNZ check_prog

……

RETS

在将数据或程序烧写到Am29F010B时，应先单步执行烧写程序，同时应观察烧写程序执行过程中有无异常。笔者曾遇到过的FLASH的操作指令代码执行后变成.word XXH的情形，后来经检查发现是由于芯片Am29F010B的地址线引脚再现虚焊所致；另一方面，还要观察在仿真开发环境的存储区查看窗口，以观察FLASH内相应单元内容的变化有否异常。

图4 Am29F010B与TM320C32的硬件接口电路原理图

3 结束语

本文讨论的方法在软、硬件上均已得到实现，对高性能Flash存储器芯片Am29F010B和高速DSP处理器TMS320C32优点的充分利用，使得在硬件和软件上保证了装置的先进性和高可靠性；目前，该装置已成功用于WSM2000电动机智能保护装置系统中，而且效果理想。

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