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基于单片机的MicroDrive接口设计

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增大字体作者：佚名来源：本站整理发布时间：2009-01-10 22:52:41

平，两者互不兼容。因而使用了ＭＡＸ２３２电平转换芯片对它们的通信电平进行转换，作为对外的通信接口。

（４）ＣＦ＋适配口

使用了标准５０针ＣＦ＋适配口。

（５）地址锁存器７４ＬＳ３７３和地址译码器７４ＬＳ１３８

其中Ａｄｄｒｅｓｓ／Ｄａｔａ（０～７）为复用的８位数据或低８位地址总线，Ａｄｄｒｅｓｓ（８～１２）为用于寻址６２ＨＣ６４的高５位地址线，Ａｄｄｒｅｓｓ（１３～１５）接至７４ＨＣ１３８，用作外部数据存储器６２ＨＣ６４及ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ的片选信号；Ｒｅｓｅｔ（ＲＥＳＥＴ）信号与ＡＴ８９Ｃ５２的ＲＥＳＥＴ脚连接，以达到同步复位的目的，上电复位后，ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ自动进入默认的Ｍｅｍｏｒｙ模式；ＲＥＧ Ｒｅｇｉｓｔｅｒ　信号用于选择访问ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ的ＡｔｔｉｒｉｂｕｔｅＭｅｍｏｒｙ（低电平）或ＣｏｍｍｏｎＭｅｍｏｒｙ（高电平）；对于ＣＥ１与ＣＥ２（ＣａｒｄＥｎａｂｌｅ），因为只有一块ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ，故将ＣＥ２接高电平，ＣＥ１接７４ＬＳ１３８的Ｙ７脚；ＯＥ、为读写有效信号，与ＡＴ８９Ｃ５２的Ｐ３．７（ＲＤ）、Ｐ３．６（ＷＲ）相连；ＲＤＹ／ＢＳＹ（Ｒｅａｄｙ／Ｂｕｓｙ）ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ的闲忙状态信号，当ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ忙时，该脚为低电平，不能对ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ做任何操作，与ＡＴ８９Ｃ５２的Ｐ３．２相连，以便可通过软件检测此位，判定ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ的闲忙状态；ＷＡＩＴ（Ｗａｉｔ）信号的有效意味着一个操作进程正在完成过程中，把它与Ｐ１．７相连，以便检测；ＣＤ１、ＣＤ２（ＣａｒｄＤｅｔｅｃｔ）用于ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ的存在检测，与ＡＴ８９Ｃ５２的Ｐ３．２、Ｐ３．３相连；ＡＴ８９Ｃ５２的Ｐ３．０（ＲＸＤ）用作串行通信输入，接ＭＡＸ２３２的１２脚（Ｒ１ＯＵＴ），用于接收通过ＭＡＸ２３２送来的数据，Ｐ３．１（ＴＸＤ）用作串行通信输出，接ＭＡＸ２３２的１１脚（Ｔ１ＩＮ），通过ＭＡＸ２３２送出数据。

３软件设计

３．１主要寄存器简介

ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ内几个涉及到的操作寄存器，如表２所示。

表2 MicroDrive主要寄存器

偏移地址	名称	说明
000H	DATA REG	数据寄存器
001H	ERROR REG	出错状态寄存器
002H	SECTOR COUNT REG	扇区数目寄存器
003H	LBA 0～7	逻辑块寻址地址0～7位
004H	LBA 8～15	逻辑块寻址地址8～15位
005H	LBA 16～23	逻辑块寻址地址16～23位
006H	LBA 24～27	逻辑块寻址地址24～27位
007H	STATUS REG	读取时为状态寄存器
007H	COMMAND REG	写入时为命令寄存器

３．２软件设计简述

硬件设计好后，可以通过软件驱动接口电路读写ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ。软件流程如图２所示。首先进行测试以确定所有端口及信号的极性正确。由于Ｍｅｍｏｒｙ模式是缺省模式，其使用前的检测就变得相当简单。主要把软件分成以下几部分：

（１）检测ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ

首先，确定ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ是否已正确插入插槽。这需要检测ＣａｒｄＤｅｔｅｃｔ引脚，即将Ｐ３．２、Ｐ３．３的状态读入。如果两个都为０，就表示ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ已正确插入适配口；否则表明未正确插入，需要重新插入。

其次，在确定ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ已正确插入后，开始检测其状态。从ＣｏｍｍｏｎＭｅｍｏｒｙ的偏移地址为００７Ｈ的状态寄存器中读取ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ的状态信号，如果ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ被正确Ｒｅｓｅｔ了，读到的数据应该是５０Ｈ，意味着ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ已能使用并准备接收命令；否则证明有错误，应重新Ｒｅｓｅｔ。

最后，当ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ的状态证实无误并处于Ｍｅｍｏｒｙ模式时，就可以发送诊断命令字（ＥｘｅｃｕｔｅＤｉａｇｎｏｓｔｉｃｓ：９０Ｈ）到命令寄存器（偏移地址为００７Ｈ）中。这一命令将会根据ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ的当前情况重置状态寄存器００７Ｈ（与命令寄存器的地址相同），当出错时，出错位将会被置１，此时检查错误状态寄存器（偏移地址为００１Ｈ）将会得到详尽的出错信息；而一旦无错误，便可对ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ进行操作了。

（２）数据的读取

为了达到此目的，首先，将要操作的扇区地址写入偏移地址为００３Ｈ～００６Ｈ的逻辑块寻址寄存器中，再将要操作的扇区数目写入偏移地址为００２Ｈ的扇区数目寄存器中，接着就发送读命令字（２０Ｈ）到命令寄存器中，当写入命令后，ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ会将ＢＵＳＹ状态置１作为响应。

然后，ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ从存储扇区中读出数据放入其缓存单元中，并将ＤＲＱ状态位置１，清ＢＵＳＹ以表示数据已准备好。因此只需检查ＤＲＱ状态即可。当ＤＲＱ为１时，便可从ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ的缓存中读出数据；当所有数据读完后，ＤＲＱ将会清０，ＭｉｃｒｏＤｒｉｖｅ又转回准备状态，可进行下一步操作。

（３）数据的写入

与读数据的操作类似，首先，将数据准备在数据缓存区（外部ＲＡＭ６２ＨＣ６４）中，将要操作的扇区地址写入偏移地址为００３Ｈ～００６Ｈ的逻辑块寻址寄