全桥驱动器芯片UBA2032T/UBA2032TS
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增大字体由于ＨＩＤ灯的使用寿命取决于通过石英灯管壁的钠迁移率。因此，为使钠迁移率最小化以延长灯的使用寿命，ＨＩＤ灯可在相对于系统地的负电压下操作。图４所示是汽车前灯（ＨＩＤ灯）的全桥驱动电路。该电路中的ＵＢＡ２０３２ＴＳ的脚＋ＬＶＳ和ＨＶ与桥路控制电路施加相同的低电源电压，脚－ＬＶＳ连接到系统地。以系统地为参考，该桥路可在－４５０Ｖ最大值的负电压下操作，同时“Ｈ”桥的输出状态与ＩＣ脚ＥＳＴＤＲ上的控制信号相关。这样，在ＨＩＤ灯点火时，电路会产生一个非常大的ＥＭＣ尖峰脉冲，同时在全桥ＭＯＳＦＥＴ（ＬＬ、ＬＲ、ＨＲ和ＨＬ）的栅极上会产生非常高的瞬态电压或振荡。当ＭＯＳＦＥＴ栅极直接与ＩＣ内的输出驱动器输出（脚ＧＨＲ、ＧＨＬ、ＧＨＬ和ＧＬＬ）直接耦合时，驱动器输出会产生电压过冲击。为削弱驱动器输出的过应力，可在每只ＭＯＳＦＥＴ栅极上串联一只最小值不低于１００Ω的电阻，并并联一只高速开关二极管（如ＩＮ４１４８）。
如果每只ＭＯＳＦＥＴ的栅极电荷为ＱＧ，那么当桥路频率为ｆｂｒｉｄｇｅ时，４只ＭＯＳＦＥＴ的总栅极电流ＩＧ为４ｆｂｒｉｇｅＱＧ。该电流可由内部低压电源（ＶＤＤ）来提供。由于ＶＤＤ提供的最大电流被内部保护电路限制在１１ｍＡ，因此，为了防止电流供应不足，设计时应附加一个辅助低压电源。ＵＢＡ２０３２的同类器件还有Ｕ-ＢＡ２０３０和ＵＢＡ２０３３等。
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作者：佚名
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