闪速存储器芯片K9F6408系列的典型应用
{
unsigned char i=0;
while (i!=invalidblockbound+1)// invalidblockbound是无效块的总数
{
while(a!=*InvalidBlockAddress++)//当未遍历到最后一个无效块时,就继续核对
{
i++;
}
}
if(i!=invalidblockbound+2)
return 1;//无效的块
else
return 0;//有效的块
}
void Write(void)//写操作
{
unsigned char h;
if(first)//当开始对一页进行写操作时,first=1,否则为0
{
Flash_CE=0; file://片选
WriteCommand(0x80); file://写命令0x80
*uchar AssertBlock(startpage/16) file://与记录坏块的表相对照
WriteAddress(0x00,startpage); file://写地址
first=0;
}
for(h=0;h!=16;h++)
WriteData(output[h]); file://写入寄存器处理好的GPS数据
if(FlagWrite)//当寄存器中数据满528字节(1页)时,FlagWrite=1,否则为0
{
WriteCommand(0x10);//将数据写入flash
while(!Flash_RB) file://等待读信号有效
{
}
WriteCommand(0x70); file://读状态量
Delay10us();
Flash_RD=0; file://准备好读入
#pragma asm//嵌入汇编,插入两个机器周期
nop
nop
#pragma endasm//结束汇编
ACC=P0;
ACC=ACC&0x01;
Flash_RD=1;
if(ACC!=0) file://若最后一位不为零
{
*(InvalidBlockAddress+j)=startpage/16; file://存储无效块空间的首地址
startpage=startpage+16; file://读下一个块的第一个扇区看是否是有效的扇区
}
Flash_CE=1; file://结束片选
startpage++; file://写下一页
first=1;
}
}
4)擦除:以块为单位进行擦除。前后有两条擦除命令以保证不会被意外擦除。
void FlashErase(uint a)
{
unsigned int blockcount;
Flash_CE=0;//片选
for(blockcount=0;blockcount!=a;blockcount++)//寻找被擦除的块
{
WriteCommand(0x60);//块擦除预命令
WriteAddresspage(16*blockcount);
WriteCommand(0xD0);//块擦除确认命令
while(Flash_RB!=1)
{
}
WriteCommand(0x70);//读擦除状态命令
Delay10us();
Flash_RD=0;
#pragma asm//嵌入汇编,插入3个机器周期
nop
nop
nop
#pragma endasm//结束汇编
ACC=P0;
#pragma asm//嵌入汇编,插入1个机器周期
nop
#pragma endasm//结束汇编
Flash_RD=1;
ACC=ACC&0x01;
if(ACC!=0)//擦除失败
{
*InvalidBlockAddress=blockcount;//记录坏的块
InvalidBlockAddress++;
j++;
}
}
Flash_CE=1;//不再片选
}
5)flash管理:主要包括记录无效的块,flash空间检测以及空间的整理。(在此以flash整理流程图为例)
(1)开始flash整理程序;(2)扫描整个物理空间,取得已使用的扇区数N;(3)从第i个已使用的扇区读起,初始化i=1;(4)看扇区的地址是否连续;(5)如果连续就读下一个扇区,如果读到最后一个已使用的扇区就结束;(6)如果不是最后一个已使用的扇区,就跳到步骤(3);(7)如果物理扇区不连续,则取得此扇区所在块k的地址指针;(8)扫描到空闲块j并取得其地址指针;(9)将k中所有的已写扇区移至j中,擦除块k;(10)擦除有效吗(11)若无效则将此块记为无效块,并进行(12)步;(12)若有效则判断读到最后一个扇区了吗?(13)若没有跳至步骤(3);(14)若是最后一个已写扇区,则结束整理程序。