朗科发布闪存盘新技术 随机写速度猛增3倍

　　中新网8月24日电 全球移动存储领导厂商朗科公司今天发布了一款融合了三大加速技术的闪存盘U217，其连续读写速度提高到惊人的32MB/sec、21MB/sec，随机读写速度提高到32MB/sec、12MB/sec，后者更是全球著名品牌同类产品的4倍左右。

　　据悉，在2009年以前，国内闪存盘的主流容量一直徘徊在4GB以内，但随着三星等公司推出了更低纳米的闪存芯片，目前闪存盘的最大容量已经可以做到上百GB，足以和移动硬盘的容量相提并论了。

　　“在4GB以前，读写速度的快慢并不能给用户以非常直观的感受，但现在不同了。一款32GB的闪存盘如果用去年业内平均读写速度10MB/sec来存储，累计需要一个小时，而如果采用朗科U217，只需十几分钟。”有业内人士表示，闪存盘容量的大幅攀升，对闪存盘读写速度提出了更高的要求。

　　据悉，朗科三大闪存技术主要通过“闪存芯片的控制加速、双通道倍速和Nspeed提速技术”三种方法来实现速度的显著提升。

　　“新的闪存控制技术可以让闪存盘读写速度提高30～40%。而双通道技术则直接将闪存盘的读写技术提高到两倍。此外，朗科Nspeed提速技术则利用PC缓存来提升闪存盘的读写性能。”朗科公司技术部门有关人士向记者表示。

　　特别值得一提的是，大多数时候，闪存盘是用来存储零散的小文件，而不像DVD文件那样动辄0.99GB大小，因而其随机读写性能要比连续读写性能重要得多。目前市面上最好的同类闪存盘的随机写性能只能做到3MB/sec左右，而采用朗科三大闪存技术的闪存盘最高随机写性能达到了12MB/S，是前者的4倍，也是目前全球综合读写性能最好的闪存盘。

　　据悉，目前采用三大闪存技术的第一款产品U217已经上市，其最大设计容量为128GB，是为数不多的海量闪存盘家族中的领跑者。

　　作为闪存盘的发明者、国内唯一拥有芯片级开发能力的闪存盘厂商，朗科公司在闪存盘技术领域拥有无人能及的优势，其开发的数十项闪存技术获得了发明专利，这些技术构成了现今闪存盘产业的技术基础，已经为世界各国闪存厂商所采纳。